7.7. Vật liệu siêu dẫn

1. Hiện tượng siêu dẫn – Tính chất của vật liệu siêu dẫn

Các vật liệu mà ở trong vùng nhiệt độ T < TC (nhiệt độ tới hạn Curie) nào đó, có điện trở gần như bằng 0 gọi là vật liệu siêu dẫn. Người ta cũng xác định được rằng vật liệu siêu dẫn có độ cảm ứng  \( \chi =-1 \) nên siêu dẫn con được xếp vào vật liệu nghịch từ lí tưởng.

Hiện tượng siêu dẫn được Heike Kamerlingh Onnes, nhà Vật lý người Hà Lan phát hiện lần đầu tiên vào 1911 khi ông đặt một thanh thủy ngân Hg vào trong heli lỏng khoảng 4,2 K thì thấy điện trở của Hg đột ngột giảm tới 0. Onnes gọi đó là hiện tượng siêu dẫn và nhiệt độ mà dưới nó xảy ra hiện tượng siêu dẫn là nhiệt độ tới hạn Curie. Khi T > TC thì vật trở lại dẫn điện bình thường. Những năm tiếp theo Onnes cùng nhiều nhà khoa học ở nhiều nước khác còn nhận thấy Pb, Sn, Tl, In, Ga, Nb, … cũng có tính siêu dẫn. Trạng thái siêu dẫn điện trở của vật bằng 0 đã được thực nghiệm xác nhận khi người ta cho dòng điện chạy trong một vòng xuyến siêu dẫn (chẳng hạn Nb0,75Zr0,25) suốt một năm mà nó không bị suy giảm. Ở vật liệu siêu dẫn còn hai đặc tính quan trọng và thú vị nữa là:

+ Ở trạng thái siêu dẫn, từ trường bị đẩy ra khỏi chất siêu dẫn (cảm ứng từ trong lòng chất siêu dẫn B = 0). Hiện tượng này gọi là hiệu ứng Meissner (do n Meissner và Ochsenfeld phát hiện ra năm 1933, hình 15.26).

Người ta cũng thấy rằng có một số chất siêu dẫn khi có từ trường H < HC (từ trường giới hạn) thì nó là siêu dẫn, còn khi H > HC thì nó trở về trạng thái dẫn điện bình thường gọi là siêu dẫn loại 1. Ở một số chất siêu dẫn khác có hai từ trường giới hạn HC1 và HC2 mà khi H < HC1 thì chúng là siêu dẫn, khi HC1 < H < HC2 đường sức từ trường xuyên dần vào mẫu chất siêu dẫn dưới dạng các đường xoáy (hiệu ứng Meissner một phần), chỉ khi H > HC2 vật mới dẫn điện bình thường, gọi là các chất siêu dẫn loại 2 (Hình 15.27).

+ Trạng thái siêu dẫn sẽ biến mất nếu đưa vào nó dòng điện có mật độ JC đủ lớn, tức là khi J > JC thì tính siêu dẫn của vật không còn tồn tại, cho dù có T < TC. Như vậy giới hạn giữa trạng thái siêu dẫn và dẫn điện bình thường của một chất phải tuân theo cả ba điều kiện tới hạn về nhiệt độ TC, từ trường HC và mật độ dòng JC (Hình 15.28).

Gần một thế kỉ đã trôi qua kể từ khi phát hiện ra hiện tượng siêu dẫn, người ta đã hết sức quan tâm tìm kiếm các vật liệu siêu dẫn mới và tìm cách nâng cao nhiệt độ tới hạn của chúng để có thể ứng dụng một cách hệ quả loại vật liệu này vào thực tế vì tính năng kỹ thuật đặc biệt của chúng. Đến nay đã có nhiều loại vật liệu siêu dẫn được chế tạo và người ta cũng đạt được nhiệt độ TC khoảng 160K. Bảng 15.6 liệt kê các chất siêu dẫn có kỷ lục về nhiệt độ TC cùng với năm phát hiện ra chúng.

Các chất siêu dẫn có TC > 30K gọi là siêu dẫn nhiệt độ cao. Từ bảng 15.6 có thể thấy siêu dẫn nhiệt độ cao đều là vật liệu gốm và trong thành phần đều có các oxit BaO và CuO. Như vậy với vật liệu siêu dẫn nhiệt độ cao có thể áp dụng công nghệ gốm để chế chúng và tạo trạng thái siêu dẫn bằng cách đưa các vật liệu này vào trong môi trường làm lạnh bằng He hoặc N lỏng.

Phần lớn các kim loại đơn chất là siêu dẫn loại 1, có từ trường giới hạn HC rất nhỏ, chỉ cỡ 0,1 – 0,2 T và giá trị JC cũng nhỏ  \( \sim10\text{ }A/c{{m}^{2}} \). Các siêu dẫn là hợp chất của Nb, Mg và các gốm là những chất siêu dẫn loại 2, chúng có HC2 rất lớn, từ 1 tới vài trăm Tesla và JC cỡ 104 – 107 A/cm2.

Ngoài các đặc điểm trên siêu dẫn còn những tính chất khác như:

+ Không có kim loại đơn hóa trị nào (trừ Cs ở áp suất cao) có tính siêu dẫn

+ Không có kim loại sắt từ nào có tính siêu dẫn

+ Không có kim loại đất hiếm nào (trừ La) có tính siêu dẫn

+ Nhiệt dung của siêu dẫn có phần đóng góp của điện tử dưới dạng hàm e mũ với số mũ tỉ lệ với  \( -\frac{1}{T} \):  \( \frac{C}{\gamma {{T}_{C}}}=7,46{{e}^{-\frac{1,39{{T}_{C}}}{T}}} \)          (15.72)

+ Nhiệt độ tới hạn của các chất siêu dẫn biến đổi theo khối lượng đồng vị. Chẳng hạn TC của Hg biến đổi từ 4,185-4,146 K khi khối lượng nguyên tử trung bình M của Hg biến đổi từ 199,5-203,4 đơn vị nguyên tử (hiệu ứng đồng vị). Kết quả thực nghiệm cho thấy:  \( {{M}^{\alpha }}.{{T}_{C}}=const  \)       (15.73)

+ Dòng điện siêu dẫn có khả năng truyền qua một lớp chất cách điện mỏng (“hiệu ứng đường hầm” B.Josephson).

Nhận Dạy Kèm Vật Lý Đại Cương Online qua ứng dụng Zoom, Google Meet,...

2. Lý thuyết siêu dẫn

Một trong những trở ngại lớn hạn chế sự phát triển của chất siêu dẫn là cho đến nay người ta vẫn chưa tìm ra được cơ chế chính xác để giải thích hiện tượng siêu dẫn, chiếc chìa khóa để chế tạo vật liệu siêu dẫn, đặc biệt là siêu dẫn nhiệt độ cao.

Tuy nhiên đã có nhiều công trình nghiên cứu lý thuyết về cơ chế hiện tượng siêu dẫn khả dĩ chấp nhận được, sẽ trình bày dưới đây.

2.1. Giải thích về siêu dẫn nhiệt độ thấp

a) Lý thuyết cặp Cooper (BCS)

Ba nhà Vật lý người Mỹ là J.Bardeen, J.Schrieffer và L.Cooper lần đầu tiên vào năm 1957 đã nêu ra lý thuyết cặp điện tử (cặp Cooper) cho phép hiểu được bản chất vi mô của hiện tượng siêu dẫn. Lý thuyết này dựa trên quan niệm về sự hút nhau giữa các điện tử nhờ tương tác với các phonon (dao động mạng tinh thể). Giữa các điện từ luôn tồn tại lực đẩy Coulomb, mặc dù khoảng cách lớn, tương tác này bị suy yếu một cách đáng kể do hiệu ứng chắn bởi các điện tử khác. Trong vật dẫn, các điện tử tự do chuyển động trong toàn mạng tinh thể, tương tác với các ion dương ở các nút mạng, “kéo” các ion này lệch khỏi nút mạng, tạo ra các “điện tích dương dư” trong vết chuyển động của nó. Các “điện tích dương dư” này đến lượt mình có thể hút các điện tử khác gần bên nó (hình 15.29) và như vậy lúc này trong vật dẫn có các cặp điện tử tương tác nhau thông qua dao động mạng (vừa hút vừa đẩy nhau do bức xạ và hấp thụ phonon), cùng chuyển động dưới tác dụng của từ trường ngoài, tham gia vào việc dẫn điện (hình 15.30).

Theo thuyết lượng tử có thể diễn đạt hiện tượng siêu dẫn như sau: Khi nhiệt độ hạ thấp T < TC trong vật liệu siêu dẫn tồn tại tương tác electron – phonon – electron trong đó phonon là lượng tử phát xạ do dao động mạng tinh thể, tạo thành cặp electron có spin ngược chiều nhau. Ở nhiệt độ T > TC cặp ghép đôi bị tách ra. Như vậy ở điều kiện thích hợp xem như trong siêu dẫn tồn tại một loại hạt mới có khối lượng và điện tích gấp đôi, spin bằng 0. Chuyển động của hạt mới này hầu như không bị tán xạ bởi dao động nhiệt của mạng tinh thể và các nguyên tử tạp chất, do vậy điện trở của vật liệu gần bằng 0.

Dựa vào thuyết BCS có thể xác định được năng lượng tương tác gián tiếp “electron – phonon – electron”, đặc trưng cho sự tạo cặp Cooper và chuyển dời của điện tử:

 \( {{\widehat{W}}_{{\vec{q}}}}=\frac{2{{\left| {{M}_{{\vec{q}}}} \right|}^{2}}\hbar \omega (\vec{q})}{{{\left[ \varepsilon \left( {\vec{k}} \right)-\varepsilon \left( \vec{k}-\vec{q} \right) \right]}^{2}}-{{\hbar }^{2}}{{\omega }^{2}}(\vec{q})} \)      (15.74)

Trong đó  \( {{M}_{{\vec{q}}}} \) biểu thị cường độ tương tác electron – phonon,  \( \varepsilon \left( {\vec{k}} \right) \) là năng lượng của điện tử ở trạng thái k; \( \hbar \omega (\vec{q}) \) là năng lượng của phonon. Năng lượng tương tác cặp như vậy có thể thay đổi đáng kể sự phân bố năng lượng của điện tử ở nhiệt độ thấp. Trạng thái kích thích đầu tiên của các điện tử trong hệ cách trạng thái thấp nhất bởi một khe năng lượng Eg phụ thuộc nhiệt độ và từ trường. Khoảng cách của khe năng lượng có thể thay đổi và được đặc trưng bởi độ dài kết hợp:  \( \xi =\frac{2\hbar {{v}_{F}}}{\pi {{E}_{g}}}\approx {{10}^{-4}}\text{ }cm  \)          (15.75)

Nếu  \( \xi >>\lambda  \) vật liệu là siêu dẫn loại 1, với  \( \lambda  \) là độ xuyên sâu.

Nếu  \( \xi <<\lambda  \) vật liệu là siêu dẫn loại 2 (xem hình 15.31).

Đồng thời lý thuyết BCS cũng cho biết mối quan hệ giữa mật độ trạng thái của điện tử ở mức Fermi N(EF) và nhiệt độ Debye TD với nhiệt độ chuyển pha siêu dẫn:  \( {{T}_{C}}={{T}_{D}}{{e}^{-\frac{1}{WN({{E}_{F}})}}} \)        (15.76)

Ở đây W là năng lượng tương tác điện tử – mạng;  \( WN({{E}_{F}})<<1 \).

Lý thuyết BCS đã được thực nghiệm xác nhận.

b) Các phương trình London

Hai anh em các nhà vật lý người Đức J.London và B.London cũng xây dựng một lý thuyết để giải thích tính siêu dẫn, đó là các phương trình London, dựa trên mô hình hai chất lỏng do Gorter và Casimir đề xướng. Theo đây trong chất siêu dẫn có các điện tử thông thường (bị tán xạ khi chuyển động gây ra điện trở), tạo thành chất lỏng thông thường và các điện tử siêu dẫn (không bị tán xạ), tạo ra chất lỏng siêu dẫn. Ở 0K mọi điện tử tham gia vào chất lỏng siêu dẫn và chỉ có điện tử siêu dẫn chuyển tải điện tích. Khi nhiệt độ tăng dần lên, một phần điện tử “bay hơi” khỏi chất lỏng siêu dẫn, tạo thành chất lỏng bình thường. Hai chất lỏng cùng chảy trong vật dẫn, thẩm thấu lẫn nhau. Khi T > TC tất cả điện tử siêu dẫn chuyển qua chất lỏng bình thường, vật dẫn hết tính siêu dẫn.

Phương trình thứ nhất mô tả tính dẫn điện không có điện trở của siêu dẫn:  \( \overrightarrow{E}=\left( \frac{m}{{{n}_{S}}{{e}^{2}}} \right)\frac{d{{{\vec{j}}}_{S}}}{dt} \)      (15.77)

Phương trình thứ hai mô tả tính nghịch từ:  \( \overrightarrow{H}=\frac{mc}{{{n}_{S}}{{e}^{2}}}rot{{\vec{j}}_{S}} \)      (15.78)

Các phương trình London chỉ ra rằng từ trường ngoài chỉ có thể xuyên vào một lớp mặt ngoài mỏng của một chất siêu dẫn loại 1, độ xuyên thấu cỡ vài trăm  \( \overset{O}{\mathop{A}}\, \), được cho bởi biểu thức:  \( \lambda ={{\left( \frac{m{{c}^{2}}}{4\pi n{{e}^{2}}} \right)}^{1/2}} \)     (15.79)

Khi pha tạp vào kim loại có thể làm tăng độ xuyên sâu.

Sử dụng các phương trình London còn thu được một kết quả quan trọng là sự lượng tử hóa của từ thông gửi qua một chất siêu dẫn. Từ thông qua một vòng xuyến làm bằng siêu dẫn đặt trong từ trường vuông góc với mặt phẳng của vòng không phải thay đổi liên tục mà là bội nguyên của lượng:

 \( {{\Phi }_{0}}=\frac{h}{\left| e \right|}=4,{{14.10}^{-15}}\text{ }Wb  \)      (15.80)

 \( {{\Phi }_{n}}=n\left( \frac{h}{\left| e \right|} \right) \)      (n = 0, 1, ,2 ,3, …)     (15.81)

c) Lý thuyết nhiệt động học về chuyển pha siêu dẫn

Năng lượng ổn định của trạng thái siêu dẫn đối với trạng thái thường chính là hiệu năng của hai trạng thái này, có thể xác định bằng phương pháp đo nhiệt dung hoặc đo từ. Xét trạng thái xác định năng lượng ổn định bằng phương pháp đo từ thông qua hiệu ứng Meissner. Trong trạng thái siêu dẫn từ trường nội tại bằng 0, do đó ta có:

 \( {{H}_{a}}+4\beta \pi M=0 \) hay  \( M=-\frac{{{H}_{a}}}{4\pi \beta } \)         (15.82)

Khi dịch chuyển một chất siêu dẫn từ xa vô cùng về gần một vị trí trong từ trường của một nam châm vĩnh cửu, siêu dẫn có thể bị chuyển sang trạng thái thường (hình 15.32).

Bằng thực nghiệm xác định năng lượng của vật ở trạng thái siêu dẫn US(0) và trạng thái thường UN(0) sẽ tính được năng lượng ổn định ở 0K (xem hình 15.33):  \( \Delta U={{U}_{N}}(0)-{{U}_{S}}(0)=\left( \frac{1}{8\pi } \right)H_{ac}^{2} \)       (15.83)

Khi nhiệt độ T > 0K phải xét năng lượng tự do F = U – TS cho hai trạng thái.

Các lý thuyết nêu trên cho phép sáng tỏ cơ chế hiện tượng siêu dẫn nhiệt độ thấp. Tuy nhiên với các chất siêu dẫn nhiệt độ cao, chủ yếu là các hợp kim và hợp chất oxit gốm mà các hiệu ứng đồng vị không có giá trị thì các lý thuyết này chưa có sức thuyết phục. Dẫu vậy trong thực tế siêu dẫn nhiệt độ cao vẫn đang được triển khai mạnh mẽ và cũng có nhiều ý tưởng khám phá cơ chế lý thuyết của chúng.

2.2. Giải thích tính siêu dẫn nhiệt độ cao

+ Về mặt cấu trúc, các tinh thể siêu dẫn nhiệt độ cao được xem như các khối perowskite ghép lại (ít nhất ba khối).

+ Năm 1964 nhà vật lý người Mỹ W.Little giả định rằng sợi polime hữu cơ có thể đạt được nhiệt độ TC cao hơn ở kim loại. Ông giải thích rằng trong sợi polime các điện tử dẫn chuyển động dọc theo sợi còn điện tử trung gian phân bố ở các mạch bên và chúng cũng tạo thành cặp như trong siêu dẫn kim loại, khi đó TC sẽ tỉ lệ nghịch với căn bậc hai của khối lượng điện tử, vì vậy có thể đạt giá trị rất cao, thậm chí tới 300 K. Tuy nhiên thực tế chưa có minh chứng nào về các sợi hoặc bó sợi polime siêu dẫn nhiệt độ cao.

+ Nhà vật lý người Nga Ginzburg đề nghị cơ chế siêu dẫn exiton với mẫu là một miếng kim loại mỏng kẹp chặt giữa hai lớp điện môi, nhưng chưa thực hiện được.

+ Một ý tưởng nữa là chế tạo hiđro kim loại và các hợp kim của nó, có nhiệt độ Debye  \( {{T}_{D}}\sim3000K  \), tương ứng có  \( {{T}_{C}}\sim100-300K  \). Nhưng điều kiện chế tạo và bảo lưu hiđro kim loại là vô cùng khó (phải nén dưới áp lực cực kỳ lớn).

+ Từ 1986 người ta đưa ra cơ chế dao động phi điều hòa, tức là cơ chế dao động với biên độ lớn của các ion mạng tinh thể đối với siêu dẫn nhiệt độ cao. Thực tế cũng ghi nhận có sự giao động phi điều hòa mãnh liệt ở các liên kết có CuO chẳng hạn như La(Ba,Sr)CuO4, YBa2Cu3O7, … Nhưng để giải thích cơ chế siêu dẫn vẫn sử dụng tương tac điện tử – phonon mà người ta cho là không thích hợp vì ở đây không có hiệu ứng đồng vị.

+ Ngoài ra người ta cũng phát hiện thấy rằng trong các chất siêu dẫn có fermion nặng như một số muối và hợp chất có chứa PF6, ClO4,… không phải là sự kết đôi mà là sự kết thành bộ ba của các điện tử dẫn. Điều này không thể giải thích được bằng lý thuyết BCS.

Cho tới nay siêu dẫn vẫn còn nhiều điều bí ẩn, mới mẻ đối với con người.

3. Ứng dụng của siêu dẫn

+ Trước hết là làm các nam châm siêu dẫn có từ trường cực mạnh nhưng lại có kích thước, khối lượng nhỏ, nhẹ, tránh được hiệu ứng nhiệt Joule, được sử dụng trong các máy gia tốc Tokamak, tạo môi trường Plasma để khống chế các phản ứng nhiệt hạch, tích tụ được năng lượng từ trường tới 600 triệu J nhờ đó tạo ra nhiệt độ plasma đến 200 triệu độ. Nam châm siêu dẫn cũng được dùng để chế tạo các động cơ điện, máy phát điện công suất cực cao, có thể đạt đến hàng trăm megawatt. Nhà máy điện siêu dẫn sử dụng các nam châm siêu dẫn có từ

trường cực mạnh, có thể có công suất tới 20 tỷ watt (nhà máy thường chỉ đạt 1 tỷ watt).

+ Các cuộn dây siêu dẫn lắp trên các con tàu siêu tốc chậy trên đệm từ không khí, tác dụng nâng các con tầu nặng hàng trăm tấn lên khỏi đường ray và kéo nó chậy với vận tốc cực nhanh, tới 400-500 km/h (gọi là các “tầu hỏa bay”).

+ Vận dụng hiệu ứng B.Josephson để chế tạo các thiết bị, dụng cụ giao thoa lượng tử siêu dẫn (SQUID) có độ chính xác, độ nhậy rất cao, có thể phát hiện những từ trường cực nhỏ phát ra từ tim, não người…Đồng thời cũng có thể sử dụng hiệu ứng này ở siêu dẫn để chế các bộ nhớ và bộ vi sử lý trong các thiết bị điện toán số.

+ Sử dụng gốm siêu dẫn nhiệt độ cao làm các thiết bị trung gian và các bộ cảm biến lớp mỏng dùng cho quân sự, y hoc và nghiên cứu vũ trụ.

+ Rất nhiều các dự án khác đang được triển khai thực hiện như:

Dùng dòng siêu dẫn không tắt để dự trữ nguồn năng lượng điện khổng lồ không sợ bị tổn hao.

Truyền tải điện bằng dây cáp siêu dẫn dưới mặt đất, tăng hiệu suất tới 99,8%, đang được thử nghiệm ở Mỹ, Nhật, Nga.

Sử dụng các dây truyền dẫn siêu dẫn trong máy tính, thiết bị thông tin liên lạc tăng tốc độ cực nhanh, chính xác và trung thực…

Tiềm năng ứng dụng của siêu dẫn là vô cùng rộng lớn và quan trọng, sẽ đưa đến những thay đổi lớn lao và hiệu quả trong khoa học kỹ thuật, kinh tế và đời sống xã hội. Nhất là một khi tìm ra siêu dẫn sử dụng ở nhiệt độ phòng thì không thể lường hết được vai trò của siêu dẫn to lớn đến mức nào.

IV. Gia tốc

aaaa

V. Gia tốc

aaaa

VI. Gia tốc

aaaa

VII. Gia tốc

aaaa


error: Content is protected !!
MENU
Trang Chủ